IMD2AT108 دیتاشیت

IMD2AT108

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IMD2AT108
حجم فایل 76.168 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

مشاهده دیتاشیت IMD2AT108

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Digital Transistors
  • Datasheet: ROHM Semicon IMD2AT108
  • Transistor Type: 1 NPN,1 PNP - Pre-Biased
  • Collector Current (Ic): 100mA
  • Power Dissipation (Pd): 300mW
  • Transition Frequency (fT): 250MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 56@5mA,5V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 500nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 50V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 300mV@10mA,500uA
  • Package: SOT-23-6
  • Manufacturer: ROHM Semicon

محصولات مشابه